LED显示屏寿命以光衰变作为判断标准，这篇文章之后就可以清楚了！

LED的长期运行会因光坍塌而导致老化，特别是对于大功率led而言，光坍塌问题更为严重。在测量LED寿命时，仅在LED寿命到期时使用灯泡损坏是不够的，LED寿命必须由LED的光衰减百分比指定，例如5%或10%。

光学故障33760当感光鼓的表面带电时，随着电荷在感光鼓表面上的累积，电势增大，最终达到最高电势“饱和”电势。表面电位随时间降低，正常运行时的电位低于此电位。当滚筒被扫描并曝光时，暗区（未被光照射的光电导体表面）的电势仍处于暗衰减过程中。亮区（指被照明部分中光电导体的表面）的光电导体层中的载流子密度急剧增加。电导率迅速上升，形成光电导电压，电荷迅速消失，光电导体的表面电位急剧下降。称之为光的崩塌，最后减速。

矿物引起的衰退效应：也称为S-W效应。当强光长时间照射在a-Si:H膜上或电流流动时，膜内会出现缺陷，从而降低膜的有用性能，这称为Steabler-Wronski效应。关于S-W效应的成因仍有很多争议，这种现象的微观机理尚不明确，国内外都在用非晶硅材料进行研究。通常，SW效应是由照明引起的，导致带隙中出现新的悬空键缺陷状态（深能级），从而影响a-Si:H薄膜材料中费米能级EF的位置。因此，电子的分布会发生变化，从而引起光学性质的变化，并影响电子复合过程。这些缺陷态充当电子和空穴的额外复合中心，从而增加电子俘获横截面积并缩短其寿命。

在A-Si:H薄膜材料中，与晶体硅类似的Si-H键和Si-Si键可以稳定存在，并且这些键具有较大的键能，不易断裂。由于A-Si:H材料的结构扰动，某些Si-Si键的键长和键角发生变化，导致Si-Si结变形。高应变Si-Si键具有与H相当的化学势，可被外部能量阻断，以形成Si-H键或重建更强的Si-Si结。如果断裂应变的Si-Si键不重建，A-Si:H薄膜的悬浮键密度增加。为了更好地理解SW效应的机理，找到稳定的处理方法和工艺来控制A-Si:H薄膜的悬垂键，国内外科学家已经进行了20多年的不懈努力。物理模型主要包括弱键断裂（SJT）模型、“H-glass”模型、H-碰撞模型、SI-H-SI桥键形成模型、“缺陷池”模型等，但仍没有统一的观点。